inverter fuori rete 48v

Tutte le topologie richiedono interruttori di alimentazione a commutazione rapida. Lo stadio boost e lo stadio di conversione a ponte intero richiedono diodi a commutazione rapida. Inoltre, per queste topologie sono utili anche interruttori ottimizzati per la conversione a bassa frequenza (100 Hz). Per qualsiasi particolare tecnologia del silicio, gli interruttori ottimizzati per la commutazione rapida presentano perdite di conduzione più elevate rispetto agli interruttori ottimizzati per applicazioni di commutazione a bassa frequenza.

Lo stadio boost è generalmente progettato come un convertitore in modalità corrente continua. In base al numero di moduli solari presenti nel campo utilizzato dall'inverter, scegliere se utilizzare dispositivi da 600 V o 1200 V. Le due opzioni per gli interruttori di alimentazione sono MOSFET e IGBT. In generale, il MOSFET può funzionare a una frequenza di commutazione più elevata rispetto all'IGBT. Inoltre bisogna sempre considerare l'influenza del diodo body: nel caso dello stadio boost non ci sono problemi, perché il diodo body non conduce in modalità operativa normale. La perdita di conduzione di un MOSFET può essere calcolata in base alla resistenza di conduzione RDS(ON). Per una determinata serie di MOSFET, questo è proporzionale all'area effettiva del die. Quando la tensione nominale viene modificata da 600 V a 1200 V, la perdita di conduzione del MOSFET aumenterà notevolmente. Pertanto, anche se l'RDS(ON) nominale è equivalente, il MOSFET da 1200 V non è disponibile oppure il prezzo è troppo alto.

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